GaN HEMT ile Yüksek Verimli X Band F Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi Tasarımı

Osman Ceylan, Hasan Bülent Yağcı, Selçuk Paker
1.561 773

Öz


Bu çalışmada X bandında çalışan, yüksek verimli F sınıfı güç kuvvetlendiricisi Galyum Nitrit Yüksek Elektron Hareketlilikli Tranzistor (High Electron Mobility Transistor, GaN tHEMT) kullanılarak tasarlanmıştır. Bu tasarımda kullanılan Triquint TGF2023-1-01 tranzistoru için Modelithics geliştirdiği doğrusal olmayan tranzistor modeli kullanılmıştır. Tasarlanan devrenin daha geniş frekans bandından çalışmasını sağlamak için kapasitif elemanlar radyal yapılı mikroşerit hatlar ile gerçeklenmiştir. Tasarım sonucunda 8.2 GHz merkez frekansında elde edilen en yüksek verim %62, güç kazancı ise 9.3dB’dir. Tasarlanan devre geniş bantlı iletişim sistemlerinde (170MHz) kullanılmaya uygun olarak bant içerisindeki verimi %60’ın üzerindedir. Çalışma sonunda GaN HEMT kullanarak yüksek çıkış gücüne sahip yüksek verimli kuvvetlendirici elde edilmiştir.

Anahtar kelimeler


GaN, X Band, Güç Kuvvetlendiricisi, F Sınıfı, Dairesel Yapılı Hat

Tam metin:

PDF


DOI: http://dx.doi.org/10.20854/befmbd.31566

Referanslar


Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.

Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.

Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.

Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.

Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.




Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.