2.4 GHZ, 5W, GaN HEMT AB SINIFI GÜÇ KUVVETLENDIRICISI TASARIMI

Kaan Kula, Osman Ceylan, Hasan Bülent Yağcı
1.676 1.338

Öz


Bu çalışmada 2.4 GHz frekansında 5W çıkış gücüne sahip AB sınıfı bir güç kuvvetlendiricisi tasarlanmış ve gerçeklenmiştir. Tasarımda Sumitomo Electric firmasının SGNE010MK GaN HEMT’i kullanılmıştır. Firma tarafından sağlanan doğrusal olmayan model ile bilgisayar destekli analiz ve tasarım yapılmıştır. Taban olarak Taconic firmasının 0.76mm kalınlığında, dielektrik katsayısı 3 olan TSM-DS3 tabanı kullanılmıştır. Tasarlanan kuvvetlendiricinin, sürekli dalga işaret ile 5W çıkış gücünde en yüksek eklenmiş verimi % 44 olarak ölçülmüştür ve 50 MHz bant genişliğinde %40 üzerinde verime sahiptir. Elde edilen sonuçlara göre, tasarlanan kuvvetlendirici aynı tranzistör ile tasarlanmış olan raporlanmış AB sınıfı güç kuvvetlendiricilerine göre daha yüksek frekansta daha yüksek verime sahiptir.

Anahtar kelimeler


GaN HEMT; RF Güç Kuvvetlendiricisi; AB Sınıfı Kuvvetlendirici

Tam metin:

PDF


DOI: http://dx.doi.org/10.20854/befmbd.29367

Referanslar


Azam, S., Jonsson, R. ve Wahab, Q., "Designing, Fabrication and Characterization of Power Amplifiers Based on 10-Watt SiC MESFET & GaN HEMT at Microwave Frequencies", 38th European Microwave Conference, 27-31 Ekim 2008, 444-447.

Bae, H.G., Negra, R., Boumaiza, S. ve Ghannouchi, F.M., "High-efficiency GaN class-E power amplifier with compact harmonic-suppression network", European Microwave Conference, 9-12 Ekim 2007, 1093-1096.

Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier, John Wiley & Sons, GB, 2009.

Grebennikov, AV., RF and Microwave Power Amplifier Design, McGraw-Hill, New York, 2014.

Kim B., Derickson, D. ve Sun, C., "A High Power, High Efficiency Amplifier using GaN HEMT", Asia Pasific Microwave Conference, 2007, 11-14 Aralık 2007.

Kim, J., Moon, J., Woo, Y., Hong, S., Kim, I., Kim J., ve Bumman, Kim., "Analysis of a Fully Matched Saturated Doherty Amplifier With Excellent Efficiency", IEEE Microwave Theory and Techniques, Cilt 56, No 2, 2008, 328-338.

Moon, J.; Kim, J.; Kim, I.; Kim, J.; Kim, B., "Highly Efficient Three-Way Saturated Doherty Amplifier With Digital Feedback Predistortion," Microwave and Wireless Components Letters, IEEE, vol.18, no.8, Aug. 2008, s.539-541.

Moore, A. ve Jimenez, J., GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.

Sedi. (2012). SGNE010MK data sheet. http://www.sedi.co.jp/pdf/SGNE010MK_ED1-0.pdf , 5 Ekim 2014 tarihinde alınmıştır.

Shumaker, J., “A 10-Watt Multi-Octave Power Amplifier Design Using the EGN010MK GaN Device”, Sumitomo Electric Device Innovations, USA

Taş, D., Ceylan, O. ve Yağcı, H., “A GaN HEMT Class AB RF Power Amplifier”, 12. Mediterranean Microwave Symposium, İstanbul, Eylül 2012.




Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.